最近英特尔公司发布了一项新的堆叠内存封装技术。这项技术可以不增大手机用户的体积的前提下，将内存堆叠到5片。
这项新的封装技术全称为“超薄堆叠内存封装技术”(Ultra-Thin Stacked Chip Scale Package)。这项技术可以手机制造商在内存上，堆叠更多的内存，总数可以高达5片。目前，英特尔的主流产品堆叠内存为4片。而大多数的手机制造商的只选用了堆叠1片或者2片内存的封装技术。
英特尔公司致力于减少内存堆叠的高度。目前英特尔5片内存堆叠高度只有1毫米，而市面大部分的2片内存堆叠的高度已达到了1.2毫米。英特尔如何做到这一点的呢？最主要的技术是，英特尔将内存的平均厚度降了下来。10片内存堆叠起来和一张信用卡的厚度相同。
英特尔称，今年内，这项新技术可以让手机用户闪存的容量达到512M。明年这个容量将会增长一倍，达到1G的容量，同时，手机的主板大小可以依然不变。
这项技术的高低也是闪存行业能否成功的关键。目前，消费者对于闪存的需求越来越大。例如，有些手机的闪存的容量每两年就要翻一倍。因此，在这种情况下，将闪存的体积变小也就越来越困难了。同时，良好的封装技术不能给半导体工厂的生产带来太大的压力。
目前除了英特尔公司以后，其它许多闪存公司也在紧锣密鼓地研发内存封装技术。英特尔发言人称，这项技术的关键是如何将多片内存封装的体积变小。目前英特尔的收入有20%到25%，来自堆叠内存技术。