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英特尔07年将以45纳米工艺生产3D晶体管
2003-06-14 19:27:28　赛迪网

英特尔6月12日在日本京都举行的2003年大规模集成电路技术和电路专题报告会上披露了其“三闸”晶体管设计的细节。

英特尔研究人员将指望依靠一种3D（三维）晶体管概念继续推动摩尔定律。英特尔表示，这种技术目前正从研究走向开发阶段，已经在其俄勒冈州西尔波若（Hillsboro）市的300毫米晶圆加工厂成功地生产出了试验性产品。英特尔的目标是在2007年以45纳米节点工艺应用这项技术。

英特尔介绍说，这种3D闸结构就像是一个升高的平面，平面的两侧是垂直边，电子信号沿着晶体管闸的上部和两侧的垂直边流动。这样，不用占用更多的空间就能使电子信号流动的空间增加三倍。

英特尔高级副总裁兼技术和生产部门总经理Sunlin Chou在声明中说：“非平面的、3D晶体管结构是我们用来提高芯片性能和延长摩尔定律的最有希望的纳米技术创新。这个结果将使这个创新技术更好地走向未来。”

 
 

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