根据马里兰大学最近的测试，具有半导体特性的碳纳米管在常温下的导电性能要比任何其它已知材料好得多。
这些测试结果为纳米管可以给未来高新电子产品打下基础这一点提供了最新证据。
知道纳米管（一种合成材料，有可能导致从塑料到计算机芯片各个领域巨大变革）具有导电特性已经有一段时间了。但马里兰大学超导性研究中心得出的结果显示，利用碳纳米管也许能制造出比之前预想的导电性更好的半导体。
马里兰大学说，由该校纳米电子研究协会会长Michael Fuhrer率领的研究团队已经能够制造出一个半导体纳米晶体管的“活动性”比此前任何半导体材料都要高出约25%，是计算机芯片硅的“活动性”的70倍以上。“活动性”是衡量半导体导电性能如何的一个量度。
以前的记录是1955年对锑化铟进行测算得到的。
Fuhrer在一项声明中说，“这是对半导体纳米管固有导电性能的首次度量。”“对于将来通过纳米管制造出新一代更小、更先进的电子产品而言，这次发现向前迈出了重要一步。”
试验结果已在《Nano Letters》杂志上发表，并于本月早些时候开始引人关注。
研究小组说，相对而言，他们必须在试验中使用非常长的纳米管，长度达到0.03厘米，大约比以前在半导体试验中使用的纳米管长100倍。
10年内，纳米管就可取代处理器和存储芯片中的硅晶体管。纳米管还可用于检测通过光导纤维的光线，还可以将药物送至人体内的特定细胞，甚至可以对国家输电网络进行重新改造。